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封裝是制造光電器件的關(guān)鍵過(guò)程，它直接影響器件的性能，可靠性和生產(chǎn)成本。目前，還沒(méi)有用于陶瓷基板性能測(cè)試的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。需要測(cè)試的項(xiàng)目主要有：外觀，機(jī)械性能，熱性能，電性能，封裝性能和可靠性等幾個(gè)方面。
陶瓷基板的電性能主要是指基板正面和背面的金屬層是否導(dǎo)電（內(nèi)部通孔的質(zhì)量是否良好）。由于DPC陶瓷基板通孔的直徑較小，因此在電鍍和填充孔的過(guò)程中可能出現(xiàn)諸如未填充的氣孔缺陷。一般可采用X射線檢測(cè)設(shè)備對(duì)其進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)，X射線無(wú)損檢測(cè)最大的有點(diǎn)是直觀、快速。
以IGBT封裝為例，由于IGBT的高輸出功率，發(fā)熱大，散熱不良會(huì)損壞IGBT芯片，散熱是IGBT封裝的關(guān)鍵技術(shù)，必須采用陶瓷基板來(lái)加強(qiáng)散熱。IGBT封裝主要采用DBC陶瓷基板，原因在于DBC基板金屬線路層較厚，具有高導(dǎo)熱、高耐熱、高絕緣、高強(qiáng)度、低熱脹、耐腐蝕及抗輻射等特點(diǎn)，它廣泛用于功率設(shè)備和高溫電子設(shè)備的封裝。
封裝后的IGBT需要進(jìn)行X射線無(wú)損檢測(cè)，對(duì)封裝過(guò)程中可能出現(xiàn)的焊點(diǎn)缺陷進(jìn)行判斷識(shí)別，從而剔除存在虛焊、漏焊等缺陷的產(chǎn)品。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，功率器件將逐步向大功率，小型化，集成化和多功能化方向發(fā)展。對(duì)用于封裝的陶瓷基板的性能也提出了更高的要求，也對(duì)其檢測(cè)加大了難度。
陶瓷基板高精度與小型化決定了我們必須不斷提高陶瓷基板線路層加工精度(線寬/線距)。X射線檢測(cè)設(shè)備的精度隨著電子器件的精細(xì)化發(fā)展而提高，以便及時(shí)適應(yīng)產(chǎn)線的需求。
陶瓷基板集成化，一般而言，TPC、DBC 和AMB陶瓷基板只適合制備單面線路層(或雙面線路層，但上下層不導(dǎo)通)。如果要實(shí)現(xiàn)上下層導(dǎo)通，需要先激光打孔(孔徑一般大于200μm)，然后孔內(nèi)填充金屬漿料后燒結(jié)而成，孔內(nèi)金屬層導(dǎo)電、導(dǎo)熱性差，基板可靠性低。集成化意味著產(chǎn)品檢測(cè)形態(tài)的復(fù)雜性，因此X射線3D斷層掃描成像被應(yīng)用在這類電子器件的封裝檢測(cè)中，這種檢測(cè)技術(shù)可以有效的避免集成化程度高的電子器件的圖像重疊和遮擋。
DPC陶瓷基板使用激光鉆孔和電鍍孔填充技術(shù)來(lái)制備金屬通孔。由于孔被電鍍并填充有致密的銅柱，導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性**，因此可以實(shí)現(xiàn)陶瓷基板上下電路層的垂直互連。隨著GaN，SiC，AlN和其他技術(shù)的第三代半導(dǎo)體的發(fā)展，功率器件已開(kāi)始在半導(dǎo)體照明，電力電子，微波射頻，5G通信，新能源和新能源汽車等領(lǐng)域迅速發(fā)展，并且對(duì)陶瓷基板的需求激增。
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